因?yàn)?strong>CCT測(cè)試通常比較復(fù)雜，且需要多循環(huán)暴露，容易使人混淆。

  使用參照樣品：如果可能，參照樣品應(yīng)和被測(cè)樣品同步進(jìn)行測(cè)試，如有可能使用多種參照樣品。參照樣品有助于證判被測(cè)樣品的測(cè)試性能。參照樣品的使用可以幫助將重復(fù)測(cè)試的測(cè)試條件的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)化，也能對(duì)不同的重復(fù)測(cè)試的結(jié)果比較進(jìn)行指導(dǎo)。
 

  測(cè)試樣品的制備：通常在進(jìn)行CCT測(cè)試之前，在有涂層的樣品上劃線(xiàn)。這樣可以破壞涂層，以加速腐蝕進(jìn)程。當(dāng)使用石擊儀時(shí)，建議按ASTM D3170標(biāo)準(zhǔn)操作。
越來(lái)越多的證據(jù)表明，劃痕深度的不同會(huì)嚴(yán)重影響CCT鹽霧測(cè)試結(jié)果。這對(duì)鍍鋅底材的影響zui大。大多數(shù)情形下，劃痕應(yīng)該深入到金屬底材。因?yàn)閯澓鄣膸缀涡螤钜矔?huì)影響結(jié)果，必須記錄所使用的劃線(xiàn)工具。

  可使用顯微鏡來(lái)觀察劃痕損害，ASTM D1654標(biāo)準(zhǔn)中有劃痕方法的描述。

 CCT鹽霧試驗(yàn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：

1.GB/T20854-2007幹濕鹽霧試驗(yàn)
2.ISO14993-2001幹濕鹽霧試驗(yàn)
3.GB-T5170.8-2008_電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法___鹽霧試驗(yàn)設(shè)備
4.GJB150.11A-2009軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 鹽霧試驗(yàn)
5. GBT2424.17-2008鹽霧試驗(yàn)方法
6. GB-T2423.18-2000氯化鈉交變鹽霧試驗(yàn)方法
7. GB-T2423.3-2006（IEC6008-2-78-2001） 試驗(yàn)cab：恒定濕熱試驗(yàn)方法
8. GBT2423_4-2008濕熱交變?cè)囼?yàn)方法

 CCT鹽霧試驗(yàn)參數(shù)設(shè)定：

實(shí)驗(yàn)室溫度：RT～ 85℃可任意設(shè)定（鹽霧腐蝕試驗(yàn)35℃±1℃/50℃±1℃）
壓力桶溫度：47℃±1℃/63℃±1℃
噴霧量1.0～2.0 m1/80cm2/h（至少收集16小時(shí)，取其平均值）
鹽水濃度：5%或濃度5%加0.26克氯化銅（CuCl2 2H2O）
酸堿值PH：中性試驗(yàn)6.5～7.2  酸性試驗(yàn) 3.0～3.3
試樣板安裝角度:15°～30°

 科迪儀器專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)各種功能的CCT鹽霧試驗(yàn)機(jī)，垂詢(xún)！